NPN-Transistor BC847A, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1E. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 1.5pF. Leistung: 0.25W. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 110. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 1E. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34