NPN-Transistor BCX53-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), TO-243, -80V, 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V

NPN-Transistor BCX53-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), TO-243, -80V, 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V

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NPN-Transistor BCX53-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), TO-243, -80V, 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V. Gehäuse: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-243. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 125MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 50 MHz. Funktion: Audioverstärker. Grenzfrequenz ft [MHz]: 145 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: AL. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code AL. Ic(Impuls): 1.5A. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AL. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 1W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.35W. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Serie: BCX. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX56-16. Strom max 1: -1A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BCX53-16
44 Parameter
Gehäuse
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-243
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-80V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Kollektorstrom
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Bandbreite MHz
125MHz
Betriebstemperatur
-65...+150°C
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
25
FT
50 MHz
Funktion
Audioverstärker
Grenzfrequenz ft [MHz]
145 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
AL
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code AL
Ic(Impuls)
1.5A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
AL
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leistung
1W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.35W
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
160
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
1.3W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Serie
BCX
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BCX56-16
Strom max 1
-1A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Transistortyp
PNP
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors