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Infineon
NPN-Transistor BDP949, SOT-223, 60V, 3A
Produktreferenz : BDP949
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
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| 99 – 198 | 2.00 fr | -22% |
| 199+Bestpreis | 1.95 fr | -24% |
Technische Produktbeschreibung (BDP949):
NPN-Transistor BDP949, SOT-223, 60V, 3A. Gehäuse: SOT-223. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 100MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: 60V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 15. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: BDP949. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Montageart: SMD. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: BDP. Strom max 1: 3A. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung