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NPN-Transistor D44H8, TO-220, 10A, 10A, TO-220, 60V
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NPN-Transistor D44H8, TO-220, 10A, 10A, TO-220, 60V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: D44H8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 90pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: nein. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H8. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47
D44H8
27 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom Ic [A], max.
10A
Kollektorstrom
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Grenzfrequenz ft [MHz]
50 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
D44H8
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
60V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
90pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
nein
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) D45H8
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor