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NPN Transistor mit Diode 900V/400V 12A 120W S-L - BU415B
Produktreferenz : BU415B
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Technische Produktbeschreibung (BU415B):
NPN Transistor mit Diode 900/400V 12A 120W S-L BU415B. B Widerstand: --. B-E Diode: --. B-E Widerstand: --. C (in): --. C (out): --. C-E Diode: --. DB/Gehäuse: 1 Stk. Halbleitermaterial: Si. Funktion: S-L TV-HA. Ic: 12 A. Pd: 120 W. Transistortyp: NPN. Vcbo: 900 V. Vceo: 400 V