NPN-Transistor MMBTA56LT1G-2GM, SOT-23, TO-236, 80V, 500mA

NPN-Transistor MMBTA56LT1G-2GM, SOT-23, TO-236, 80V, 500mA

Menge
Stückpreis
1-99
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100-999
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NPN-Transistor MMBTA56LT1G-2GM, SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Herstellerkennzeichnung: 2GM. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50

MMBTA56LT1G-2GM
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
50 MHz
Herstellerkennzeichnung
2GM
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.225W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi