NPN-Transistor TIP2955, -100V, TO-247, 15A, 100V, 15A, TO-247, 70V

NPN-Transistor TIP2955, -100V, TO-247, 15A, 100V, 15A, TO-247, 70V

Menge
Stückpreis
1-4
1.44fr
5-14
1.22fr
15-29
1.05fr
30-59
0.92fr
60+
0.76fr
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NPN-Transistor TIP2955, -100V, TO-247, 15A, 100V, 15A, TO-247, 70V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. FT: 3 MHz. Funktion: Audioverstärker. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP2955. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) TIP3055. Kollektorstrom Ic [A]: 15A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 90W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP2955
39 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Gehäuse
TO-247
Kollektorstrom
15A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
15A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
70V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
ja
FT
3 MHz
Funktion
Audioverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP2955
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) TIP3055
Kollektorstrom Ic [A]
15A
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
30
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
90W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
90W
Maximaler hFE-Gewinn
70
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
90W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
100V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics