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On Semiconductor
On Semiconductor MJE18008G NPN Transistor - TO-220
Produktreferenz : MJE18008G
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 1.63 fr | — |
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Technische Spezifikationen
5 Parameter| Parameter | Wert |
| Max. Vcbo Spannung | 1000 V |
| Max. Ic Strom | 8.0 A |
| Gehäuse | TO-220 |
| Typ | NPN |
Technische Produktbeschreibung (MJE18008G):
Der MJE18008G ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem TO-220-Gehäuse. Ideal für allgemeine Schalt- und Verstärkungsaufgaben.<br><br>