Onsemi SMBJ36A Unidirektionale TVS-Diode 600W 36V DO-214AB SMD

Technische Produktbeschreibung (SMBJ36A):

RoHS: ja. Durchbruchspannung: 36V. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 2. Spezifikationsinformationen: Ppk--600W t=1ms, IFSM--100Ap t=8.3ms. Toleranz: 5%. Gehäuse: DO-214. Sperrspannung [V]: 36V. Anzahl der Verbindungen: 2. Max. Impulsstrom: 10.3A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Max. Impulsverlustleistung Pp [W] @ t[ms]: 600W @ 1ms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): SMC DO214AB (5.2x3.6mm). Funktion: Überspannungsschutz. Max. Temperatur: +150°C. Typ des transienten Überspannungsschutzes: unidirektional. Leistung: 600W. Bauteilfamilie: Transil-Diode zur transienten Unterdrückung. Menge pro Gehäuse: 1. Schwellenspannung Vf (min): 3.5V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. VRRM: 36V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Leckstrom: 1uA. Eigenschaften der Halbleiterelemente: glaspassiviert. Diodentyp: TVS. Max. Verlustleistung: 600W. Leckstrom bei Sperrung Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 36V. Halbleiterstruktur: unidirektional. IFSM: 100A. Halbleitermaterial: Silizium. Ubr [V] @ Ibr [A]: 44.2V @ 1mA. Max. Sperrspannung: 36V.