P-Kanal-Transistor BSS83P, SOT23
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20-39
0.21fr
40-199
0.20fr
200-999
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1000-2999
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3000+
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P-Kanal-Transistor BSS83P, SOT23. Gehäuse: SOT23. Antriebsspannung: -. Betriebstemperatur: -. Drain-Source-Spannung: -60V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 330mA. Information: -. Leistung: 360mW. MSL: 1. Montage/Installation: SMD. Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Polarität: unipolar. QG (Total Gate Ladung, max @ vgs): -. RoHS: nein. Serie: -. Strömung abfließen: -330mA. Transistortyp: P-MOSFET. Vdss (Drain-Source-Spannung): -60V. Vgs (th) (max) @ id: -. Widerstand auf den Staat: 2 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Various. Mindestmenge: 20. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 00:49
BSS83P
17 Parameter
Gehäuse
SOT23
Drain-Source-Spannung
-60V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
330mA
Leistung
360mW
MSL
1
Montage/Installation
SMD
Montageart
SMD
Pd (Verlustleistung, max)
0.36W
Polarität
unipolar
RoHS
nein
Strömung abfließen
-330mA
Transistortyp
P-MOSFET
Vdss (Drain-Source-Spannung)
-60V
Widerstand auf den Staat
2 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Various
Mindestmenge
20