P-Kanal-Transistor IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB

Menge

Stückpreis

1-2

3.39fr

3-9

2.92fr

10-49

2.61fr

50+

2.59fr

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P-Kanal-Transistor IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 40A. Gehäuse: TO-220AB. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Kanaltyp: P. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:23

Technische Dokumentation (PDF)

IRF5210PBF

7 Parameter

Drain-Source-Spannung (Vds)

-100V

Maximaler Drainstrom

40A

Gehäuse

TO-220AB

Einschaltwiderstand Rds On

0.06 Ohms

Kanaltyp

Transistortyp

MOSFET-Leistungstransistor

Originalprodukt vom Hersteller

Infineon Technologies