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Infineon (irf)
P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8
Produktreferenz : IRF9953
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.92 fr | — |
| 5 – 9 | 1.92 fr | -34% |
| 10 – 19 | 1.77 fr | -39% |
| 20 – 49 | 1.69 fr | -42% |
| 50+Bestpreis | 1.61 fr | -45% |
Technische Produktbeschreibung (IRF9953):
P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 6.1nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: 20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -2.3A. Thermischer Widerstand: 62.5K/W