P-Kanal-Transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 50V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D8P05. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 20A. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 125us. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Harris. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30