P-Kanal-Transistor RSQ035P03, 3.5A, 1uA, TSOP, TSMT6, 30 v. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSMT6. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 6. C(in): 780pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 65m Ohms. Funktion: DC-DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 14A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TM. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 180pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.25W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: Power MOSFET. Teilung: 2.9x1.6mm. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: ROHM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:30