P-Kanal-Transistor SI4435DDY, SO8
Menge
Stückpreis
1-4
1.26fr
5-9
0.78fr
10-19
0.67fr
20-49
0.60fr
50+
0.56fr
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P-Kanal-Transistor SI4435DDY, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 50nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: -6.5A, -8.1A. Transistortyp: P-MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
SI4435DDY
11 Parameter
Gehäuse
SO8
Aufladung
50nC
Drain-Source-Spannung
-30V
Gate-Source-Spannung
±20V
Leistung
5W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
-6.5A, -8.1A
Transistortyp
P-MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay