P-Kanal-Transistor SUP53P06-20, TO-220AB, -60V

P-Kanal-Transistor SUP53P06-20, TO-220AB, -60V

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P-Kanal-Transistor SUP53P06-20, TO-220AB, -60V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3500pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: -53A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3V. Herstellerkennzeichnung: SUP53P06-20. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 104W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:24

Technische Dokumentation (PDF)
SUP53P06-20
16 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds [V]
-60V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
110 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
3500pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
-53A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0195 Ohms @ -30A
Einschaltzeit ton [nsec.]
15 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
-3V
Herstellerkennzeichnung
SUP53P06-20
Komponentenfamilie
MOSFET, P-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
104W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay