P6SMB18CAM4G
Menge
Stückpreis
1-4
1.11fr
5-9
0.69fr
10-19
0.58fr
20-49
0.52fr
50+
0.48fr
| Menge auf Lager: 25 |
P6SMB18CAM4G. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 18V. Gehäuse: SMB, DO214AA. Halbleiterstruktur: bidirektional. Leckstrom: 1uA. Leistung: 600W. Max Rückspannung: 15.3V. Montage/Installation: SMD. Pulsstrom max.: 25A. RoHS: ja. Toleranz: 5%. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:31
P6SMB18CAM4G
12 Parameter
Diodentyp
TVS
Durchbruchspannung
18V
Gehäuse
SMB, DO214AA
Halbleiterstruktur
bidirektional
Leckstrom
1uA
Leistung
600W
Max Rückspannung
15.3V
Montage/Installation
SMD
Pulsstrom max.
25A
RoHS
ja
Toleranz
5%
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor