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Philips Semiconductors
Philips Semiconductors BUT18AF-PHI NPN Transistor - n/a
Produktreferenz : BUT18AF-PHI
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1+Bestpreis | 3.36 fr | — |
Technische Spezifikationen
5 Parameter| Parameter | Wert |
| Max. Vcbo Spannung | 1000 V |
| Max. Ic Strom | 6.0 A |
| Gehäuse | n/a |
| Typ | NPN |
Technische Produktbeschreibung (BUT18AF-PHI):
Der BUT18AF-PHI ist ein Hochleistungs-NPN-Transistor in einem n/a-Gehäuse. Ideal für universelle HF-Anwendungen und Hochfrequenzoszillatoren.<br><br>
