Philips Semiconductors PSMN035-150P N-MOSFET 150V 50A 30mOhm TO-220

Technische Produktbeschreibung (PSMN035-150P):

Spannung Vds(max): 150V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 50A. ID (T=100°C): 36A. Einschaltwiderstand Rds On: 30 Milliohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220AB (SOT78). Gehäuse: TO-220. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spez. Info: IDM--200A (Tmb 25°C gepulst). Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Technologie: Anreicherungs-Feldeffekttransistor. G-S Schutz: nein. Td(off): 79 ns. IDss (min): 0.05uA. Td(on): 25 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 200A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 4720pF. C(out): 456pF. Trr Diode (Min.): 118 ns. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Konditionierungseinheit: 50