Semelab ALF08N20V N-Kanal Audio Power MOSFET 200V 8A TO-247

Technische Produktbeschreibung (ALF08N20V):

N-Kanal Audio Power MOSFET von Semelab, Modell ALF08N20V. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 200V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 10mA. Drainstrom Id (T=25°C): 8A. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-247. Gehäuse: TO-247. RoHS-konform: ja. Spezielle Information: Komplementärtransistor (Paar) ALF08P20V. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 50 ns. Minimaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 10mA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 100 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Eingangskapazität C(in): 500pF. Ausgangskapazität C(out): 300pF. Maximale Verlustleistung: 125W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 14V. Temperatur: +150°C.