SM2T3V3A

SM2T3V3A

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SM2T3V3A. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-216AA. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 3.3V. Komponentenfamilie: Transientenunterdrückungsdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 500uA @ 3.3V. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]: 200 W @ 1ms. RoHS: ja. Transientenunterdrückertyp: unidirektional. Ubr [V] bei Ibr [A]: -. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:08

Technische Dokumentation (PDF)
SM2T3V3A
11 Parameter
Anzahl der Terminals
2
Gehäuse
DO-216AA
Haltespannung in Schließrichtung [V]
3.3V
Komponentenfamilie
Transientenunterdrückungsdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]
500uA @ 3.3V
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung (Impuls) Pp [W] @ t[ms]
200 W @ 1ms
RoHS
ja
Transientenunterdrückertyp
unidirektional
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics