STMicroelectronics STW43NM60ND N-Kanal Leistungs-MOSFET 600V 35A 0.075Ω TO-247 MDmesh II

Technische Produktbeschreibung (STW43NM60ND):

Spannung Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 35A. ID (T=100°C): 22A. Einschaltwiderstand Rds(on): 0.075 Ohm. Gehäuse: TO-247. RoHS: ja. Spezifische Information: Geringer Gate-Eingangswiderstand. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Geringe Eingangskapazität und Gate-Ladung. Technologie: MDmesh II. Max. Temperatur: +150°C. G-S Schutz: nein. Td(off): 120ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 30ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 140A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 43NM60ND. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 4300pF. C(out): 250pF. Trr Diode (Min.): 190ns. Pd (Max. Verlustleistung): 255W. Drain-Source-Schutz: Zener-Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V.