Taiwan Semiconductor SMBJ12A Unidirektionale TVS-Diode 12V 600W SMD DO-214AB
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Technische Produktbeschreibung (SMBJ12A):
RoHS: ja. Durchbruchspannung: 12V. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 2. Spezifische Informationen: Spitzenimpulsleistung (Ppk): 600W bei 1ms, Spitzenstoßstrom in Durchlassrichtung (IFSM): 100Ap bei 8.3ms. Toleranz: 5%. Gehäuse: SMB. Halte-Spannung in Sperrrichtung: 12V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Impulsverlustleistung (Pp): 600W bei 1ms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): SMC DO214AB (5.2x3.6mm). Funktion: Überspannungsschutz. Maximale Temperatur: +150°C. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code LE. Typ des transienten Überspannungsschutzes: unidirektional. Bauteilfamilie: Unidirektionaler Suppressor (600W bei 1ms). Menge pro Gehäuse: 1. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Schwellenspannung Vf (max): 5V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LE. Dielektrische Struktur: unidirektional. Maximale Verlustleistung (Pd): 600W. Leckstrom bei Sperrrichtung Ir: 5uA bei 12V. IFSM: 100A. Halbleitermaterial: Silizium. Durchbruchspannung Ubr: 14.7V bei 1mA.