Toshiba 2SK2662 N-Kanal MOSFET, 500V, 5A, 1.35 Ohm, TO-220FP Gehäuse

Technische Produktbeschreibung (2SK2662):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 500V. Drain-Source-Leckstrom Idss(max): 100uA. Dauer-Drainstrom Id (T=25°C): 5A. Durchlasswiderstand Rds(On): 1.35 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220FP. Gehäuse: TO-220FP. RoHS-konform: Ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: Durchsteckmontage. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Speed Switching, Zener-Protected. Technologie: Feldeffekttransistor (TT-MOS V). Gate-Source-Schutz: Ja. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 60 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 25 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Puls-Drainstrom Id(imp): 20A. Gehäusemarkierung: K2662. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2V. Eingangskapazität C(in): 780pF. Ausgangskapazität C(out): 200pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 1400 ns. Maximale Verlustleistung: 35W. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 4V. Temperatur: +150°C.