Toshiba 2SK363 N-Kanal MOSFET 3.7 Ohm TO-92

Technische Produktbeschreibung (2SK363):

N-Kanal MOSFET von Toshiba, Modell 2SK363. Drain-Source-Leckstrom Idss: 100uA. Durchlasswiderstand Rds On: 3.7 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-92. Gehäuse: TO-92. RoHS-konform: ja. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Technologie: Feldeffekt (TT-MOSIV). Gate-Source-Schutz: ja. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 125 ns. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 60 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Eingangskapazität C(in): 700pF. Ausgangskapazität C(out): 75pF. Minimale Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr: 850 ns. Drain-Source-Schutz: Diode.