Toshiba 2SK943 N-Kanal Power MOSFET 60V 25A 0.046 Ohm

Technische Produktbeschreibung (2SK943):

N-Kanal Power MOSFET von Toshiba, Modell 2SK943. Maximale Drain-Source-Spannung Vds(max): 60V. Maximaler Drain-Source-Leckstrom Idss: 25A. Drainstrom Id (T=25°C): 25A. Drainstrom Id (T=100°C): 12A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.046 Ohm. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET Transistor. Technologie: V-MOS. Menge pro Gehäuse: 1. Maximale Verlustleistung: 40W.