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Onsemi
Transistor MJ11012G
Produktreferenz : MJ11012G
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 20.08 fr | — |
| 5 – 9 | 18.39 fr | -8% |
| 10 – 19 | 17.97 fr | -11% |
| 20 – 49 | 17.60 fr | -12% |
| 50+Bestpreis | 17.09 fr | -15% |
Technische Produktbeschreibung (MJ11012G):
Transistor MJ11012G. Gehäuse: TO3. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Leistung: 200W. Montage/Installation: THT. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 60V. Transistortyp: Darlington Modul. Verpackung: -