Transistor MJ11012G
Menge
Stückpreis
1-4
20.65fr
5-9
18.90fr
10-19
18.47fr
20-49
18.09fr
50+
17.57fr
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Transistor MJ11012G. Gehäuse: TO3. Kollektorstrom Ic [A]: 30A. Leistung: 200W. Montage/Installation: THT. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 60V. Transistortyp: Darlington Modul. Verpackung: -. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 15/02/2026, 07:23
MJ11012G
9 Parameter
Gehäuse
TO3
Kollektorstrom Ic [A]
30A
Leistung
200W
Montage/Installation
THT
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
60V
Transistortyp
Darlington Modul
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi