Überspannungsschutzdioden - RPtronics. Seite 5 von 22

1-5SMCJ78A

1-5SMCJ78A. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Komponentenfamilie: unidirektionaler oberflächenmontierter Entstörer (1500 W bei 1 ms). Konfiguration:...

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Menge auf Lager: 1989

1-5SMCJ78CA

1-5SMCJ78CA. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 78V. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD...

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1-5SMCJ9-0CA

1-5SMCJ9-0CA. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: SMC. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 9V. Komponentenfamilie: Bidirektionaler Entstörer (1500 W bei 1 ms), Oberflächenmontierte Komponente (SMD...

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Menge auf Lager: 1847

1N5908. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 6V. Funktion: Transildiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut D...

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+436 schnell
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1V5KE220A

1V5KE220A. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 220V. Gehäuse: DO-201. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 185V. Leistung: 1500W...

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1V5KE91A

1V5KE91A. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-201. Haltespannung in Schließrichtung [V]: 77.8V. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 77.8V...

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5KP30A

5KP30A. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 30 v. Durchlassspannung Vf (min): 3.5V. Funktion: Schutz gegen Überspan...

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AC240L

AC240L. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: min. Kapazität: 1.5pF. Konditionierungseinheit: 350. RoHS: ja. Vorwärtsstrom (AV): 10000A...

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AOZ8202CI-12

AOZ8202CI-12. Diodentyp: TVS. Durchbruchspannung: 15V. Gehäuse: SOT23. Halbleiterstruktur: unidirektional. Kapazität: 62pF. Leckstrom: 0.1uA. Leistung: 125W. Max Rückspannung: 12V. Montage/Installa...

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BZG03C12

BZG03C12. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8mm. Ge...

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BZG03C150-M3-08

BZG03C150-M3-08. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2....

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BZG03C200

BZG03C200. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC 5.5x2.8mm. G...

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BZG03C33-M3-08

BZG03C33-M3-08. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Funktion: Schutz gegen Überspannung. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AC 5.5x2.8...

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BZT03C10

BZT03C10. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 10V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenb...

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Gleichwertigkeit vorhanden
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BZT03C12

BZT03C12. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 12V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Geh..

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BZT03C13

BZT03C13. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 13V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 (4.57x3.81mm). Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Halb...

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BZT03C130

BZT03C130. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 130V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Ge...

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BZT03C15

BZT03C15. Anzahl der Terminals: 2. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 15V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 ( 4.57x3.81mm ). Geh..

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BZT03C150

BZT03C150. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 150V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Halbleitermaterial: Siliz...

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BZT03C180

BZT03C180. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. VRRM: 180V...

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BZT03C200

BZT03C200. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. VRRM: 200V...

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BZT03C22

BZT03C22. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Dielektrische Struktur: unidirektional. Durchbruchspannung: 22V. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Halbleitermaterial: Siliziu...

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BZT03C24

BZT03C24. Abmessungen: 4.57x3.81mm. Dielektrische Struktur: unidirektional. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD57 Glass. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Halbleiterm...

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BZT03C36

BZT03C36. Funktion: Zenerdiode, Überspannungsschutz. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.57x3.81mm. Pd (Verlustleistung, max): 3.25W. RoHS: ja. VRRM: 36V...

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