Auf Lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology BSS123W N-Kanal MOSFET, 100V, 0.2A, SOT-323 Gehäuse, niedriger Rds(on)
Wird als 200er-Packung verkauft (der angegebene Preis gilt für eine Packung mit 200 Stück)
Produktreferenz : BSS123W
Mengenrabatte – Sparen Sie beim Kauf
| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 6.18 fr | — |
| 3 – 4 | 5.46 fr | -12% |
| 5 – 14 | 4.83 fr | -22% |
| 15+Bestpreis | 4.35 fr | -30% |
Technische Produktbeschreibung (BSS123W):
Der BSS123W ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Yangjie Electronic Technology. Dieser N-FET bietet eine Spannung von 100V, einen Strom von 0.2A, eine Verlustleistung von 0.15W und einen Rds(on) von weniger als 5 Ohm. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen. Die Komponente ist in einem SOT-323-Gehäuse gekapselt. Wird als 200er-Packung verkauft (der angegebene Preis gilt für eine Packung mit 200 Stück)