Auf Lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B N-Kanal Leistungs-MOSFET 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-26
Produktreferenz : YJB110G10B
Mengenrabatte – Sparen Sie beim Kauf
| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.83 fr | — |
| 5 – 9 | 1.54 fr | -16% |
| 10 – 19 | 1.43 fr | -22% |
| 20 – 49 | 1.32 fr | -28% |
| 50 – 99 | 1.25 fr | -32% |
| 100 – 799 | 1.22 fr | -33% |
| 800+Bestpreis | 1.22 fr | -33% |
Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | 100 V |
| Strom | 110.0 A |
| Gehäuse | TO-263 |
| Widerstand (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJB110G10B):
Der YJB110G10B ist ein Hochleistungs-MOSFET, hergestellt von Yangjie Electronic Technology. Dieser (YET) N-POWERFET verfügt über 100V, 110A und einen Rds(on) von 0.0052 Ohm, gekapselt in einem TO-263 (D2PAK) Gehäuse. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen.<br><br>