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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJS05N06A Dual N-PowerFET 60V 5A Niedriger RDSon SO-8 MOSFET
Produktreferenz : YJS05N06A
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.49 fr | — |
| 30 – 99 | 0.25 fr | -49% |
| 100 – 199 | 0.22 fr | -55% |
| 200 – 299 | 0.20 fr | -59% |
| 300 – 499 | 0.18 fr | -63% |
| 500 – 3999 | 0.18 fr | -63% |
| 4000+Bestpreis | 0.18 fr | -63% |
Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | Dual MOSFET |
| Spannung | 60 V |
| Strom | 5.0 A |
| Gehäuse | SO-8 |
| Widerstand (RDSon) | 0.049 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJS05N06A):
Der YJS05N06A ist ein Hochleistungs-Dual-MOSFET, hergestellt von Yangjie Electronic Technology. (YET) DUAL N-POWERFET 60V 5A RDS< 0.049R SO-8. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem SO-8-Gehäuse.<br><br>