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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJB200G06A N-Power MOSFET 60V 200A TO-263
Produktreferenz : YJB200G06A
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.69 fr | — |
| 5 – 19 | 1.38 fr | -18% |
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Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | 60 V |
| Strom | 200.0 A |
| Gehäuse | TO-263 |
| Widerstand (RDSon) | 0.0029 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJB200G06A):
Der Yangjie Electronic Technology YJB200G06A ist ein hochleistungsfähiger N-Power MOSFET. Er verfügt über 60V, 200A, Rds < 0.0029 Ohm. Er ist geeignet für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem TO-263 Gehäuse.<br><br>