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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJB30GP10A P-Power MOSFET -100V -30A TO-263
Produktreferenz : YJB30GP10A
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.29 fr | — |
| 5 – 19 | 1.03 fr | -20% |
| 20 – 49 | 0.93 fr | -28% |
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Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | -100 V |
| Strom | 30.0 A |
| Gehäuse | TO-263 |
| Widerstand (RDSon) | 0.0056 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJB30GP10A):
Der Yangjie Electronic Technology YJB30GP10A ist ein hochleistungsfähiger P-Power MOSFET. Er verfügt über -100V, -30A, Rds < 0.0056 Ohm. Er ist geeignet für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem TO-263 Gehäuse.<br><br>