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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD100G10A N-Power MOSFET 100V 100A TO-252
Produktreferenz : YJD100G10A
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 0.99 fr | — |
| 10 – 29 | 0.72 fr | -27% |
| 30 – 49 | 0.65 fr | -34% |
| 50 – 99 | 0.60 fr | -39% |
| 100 – 299 | 0.55 fr | -44% |
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| 2500+Bestpreis | 0.53 fr | -46% |
Technische Spezifikationen
6 Parameter| Parameter | Wert |
| Typ | MOSFET |
| Spannung | 100 V |
| Strom | 100.0 A |
| Gehäuse | TO-252 |
| Widerstand (RDSon) | 0.0065 Ohm |
Technische Produktbeschreibung (YJD100G10A):
Der Yangjie Electronic Technology YJD100G10A ist ein hochleistungsfähiger N-Power MOSFET. Er verfügt über 100V, 100A, Rds < 0.0065 Ohm. Er ist geeignet für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gekapselt in einem TO-252 Gehäuse.<br><br>