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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJS2022A P-Kanal MOSFET -20V -13A 0.031 Ohm SO-8
Produktreferenz : YJS2022A
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 0.41 fr | — |
| 50 – 99 | 0.18 fr | -56% |
| 100 – 199 | 0.16 fr | -61% |
| 200 – 299 | 0.14 fr | -66% |
| 300 – 499 | 0.13 fr | -68% |
| 500 – 3999 | 0.12 fr | -71% |
| 4000+Bestpreis | 0.12 fr | -71% |
Technische Produktbeschreibung (YJS2022A):
Der YJS2022A ist ein Hochleistungs-MOSFET von Yangjie Electronic Technology (YET). Dieser P-POWERFET bietet -20V, -13A mit einem RDS von weniger als 0.031 Ohm im SO-8 Gehäuse. Er ist ideal für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorsteuerungsanwendungen. Gehäusetyp: n/a. Parameter: Typ: MOSFET, Spannung: -20 V, Strom: 13.0 A, Gehäuse: n/a, Widerstand (RDSon): 0.031 Ohm.