Advanced Power AP4506GEH Dual N&P-Kanal Power MOSFET 30V 9A/8A D-PAK SMD

Technische Produktbeschreibung (AP4506GEH):

N&P-MOSFET Dual-Transistor AP4506GEH. Kanaltyp: N-P. Anzahl pro Gehäuse: 2 Stück. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Pin-Anzahl: 4 Stück. Verlustleistung (Pd): 3.1 W. ROHS: Ja. Montage: Oberflächenmontage (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK (TO-252). Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Betriebstemperatur: -55...+150 °C.