N-P-MOSFET-Transistorpaar

AF4502C

MOSFET-Transistor AF4502C. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse:...

2.32fr

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AO4600

MOSFET-Transistor AO4600. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: ...

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AO4601

MOSFET-Transistor AO4601. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: ...

1.12fr

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AO4604

MOSFET-Transistor AO4604. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: ...

7.05fr

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AO4606

MOSFET-Transistor AO4606. Anzahl der Terminals: 8:1. Einschaltwiderstand Rds On: 28/35m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation:...

1.00fr

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AO4607

MOSFET-Transistor AO4607. Anzahl der Terminals: 8:1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/In...

1.93fr

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AO4611

MOSFET-Transistor AO4611. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P....

1.24fr

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AO4614B

MOSFET-Transistor AO4614B. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): SO...

0.72fr

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AO4619

MOSFET-Transistor AO4619. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-...

0.79fr

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AO4620

MOSFET-Transistor AO4620. : erweitert. Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung: 30/-30V. Funktion: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gehäu...

0.68fr

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AOP605

MOSFET-Transistor AOP605. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Kanaltyp: N-...

2.51fr

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AOP607

MOSFET-Transistor AOP607. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Kanaltyp: N-...

0.82fr

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AP4501GM

MOSFET-Transistor AP4501GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse:...

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AP4506GEH

MOSFET-Transistor AP4506GEH. Anzahl der Terminals: 4. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Hinweis: Vdss 30V (N), -...

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AP4511GD

MOSFET-Transistor AP4511GD. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: DIP. Hinweis: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Kanaltyp: N-P. Menge pr...

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AP4511GM

MOSFET-Transistor AP4511GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro...

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AP4525GEH

MOSFET-Transistor AP4525GEH. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pr...

3.50fr

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AP4525GEM

MOSFET-Transistor AP4525GEM. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pr...

2.24fr

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AP9930GM

MOSFET-Transistor AP9930GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge p...

1.89fr

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APM4546J

MOSFET-Transistor APM4546J. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Ge...

5.17fr

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BSS8402DW

MOSFET-Transistor BSS8402DW. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KNP. Kanal...

0.41fr

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FDC6420C

MOSFET-Transistor FDC6420C. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Gehäuse: TSOP. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 420. Kanaltyp...

0.78fr

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FDS4559

MOSFET-Transistor FDS4559. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-...

0.79fr

Menge auf Lager: 349

FDS8958A

MOSFET-Transistor FDS8958A. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/In...

0.78fr

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