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Fairchild

Fairchild HGTG30N60B3D N-IGBT Transistor 600V 30A TO-247

Produktreferenz : HGTG30N60B3D
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Technische Produktbeschreibung (HGTG30N60B3D):

Germaniumdiode: nein. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gehäuse: TO-247. CE-Diode: nein. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N-P. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funktion: Ic 30A bei 25°C, 25A bei 110°C, Icm 220A (gepulst). Td(off): 137 ns. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCE(sat): 1.45V. Gate-Emitter-Spannung VGE: 20V. Maximale Verlustleistung: 208W. Gate-Emitter-Schwellenspannung VGE(th) min.: 4.2V. Gate-Emitter-Schwellenspannung VGE(th) max.: 6V.