N-P-MOSFET-Transistorpaar - RPtronics. Seite 2 von 3

FDS8958B

MOSFET-Transistor FDS8958B. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 760pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Geh...

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FDS8962C

MOSFET-Transistor FDS8962C. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanalty...

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FMY4T148

MOSFET-Transistor FMY4T148. Funktion: Y4. Gehäuse (laut Datenblatt): SMT5. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y4. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil...

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HGTG30N60B3D

MOSFET-Transistor HGTG30N60B3D. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min...

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HGTG40N60B3

MOSFET-Transistor HGTG40N60B3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min....

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IRF7101

MOSFET-Transistor IRF7101. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmonti...

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IRF7309

MOSFET-Transistor IRF7309. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 0.05R & 0.1R. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Ins...

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IRF7317

MOSFET-Transistor IRF7317. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 780pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: 0.029R & 0.58R. G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. ...

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IRF7319

MOSFET-Transistor IRF7319. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Hinweis: ( = P23AF 4532 SMD ). Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F7319. Menge pro Kar...

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IRF7343

MOSFET-Transistor IRF7343. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 24/26nC. Drain-Source-Spannung: 55/-55V. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gate-Source-Spannung:...

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IRF7389

MOSFET-Transistor IRF7389. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro ...

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P2804NVG

MOSFET-Transistor P2804NVG. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 28 & 65m Ohms). Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächen...

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SI4532ADY

MOSFET-Transistor SI4532ADY. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Mont...

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SI4532CDY

MOSFET-Transistor SI4532CDY. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 340pF. Drain-Source-Schutz: nein. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenbla...

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SI4539ADY

MOSFET-Transistor SI4539ADY. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Mo...

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SI4542DY

MOSFET-Transistor SI4542DY. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Mo...

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SI9926BDY

MOSFET-Transistor SI9926BDY. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: (G...

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SI9936BDY

MOSFET-Transistor SI9936BDY. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 9.31k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil ...

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SI9943DYT1

MOSFET-Transistor SI9943DYT1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: S...

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SI9945AEY

MOSFET-Transistor SI9945AEY. Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: 9.31k Ohms. G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 3.7A. IDSS (max)...

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SI9956DY

MOSFET-Transistor SI9956DY. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: 9.31k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (...

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SK85MH10

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