FET- und MOSFET-Transistoren

248 Produkte in der Kategorie FET- und MOSFET-Transistoren verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Panasonic, Harris, Infineon, Nec, Infineon (irf), und 42 weiteren Herstellern

Vds maximale Spannung

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Maximaler Strom (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Transistorgehäuse

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PCB-Löten (27)PCB-Lötung (SMD) (74)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)

IRF5210PBF

P-Kanal-Transistor IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 40A. Gehäuse: TO-220AB. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Kanaltyp: P. Transistorty...

3.42fr

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IRF5210S

P-Kanal-Transistor IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spann...

2.48fr

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IRF5210SPBF

P-Kanal-Transistor IRF5210SPBF, D²-PAK, TO-263, -100V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[ns...

3.96fr

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IRF5305

P-Kanal-Transistor IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminal...

1.19fr

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IRF5305PBF

P-Kanal-Transistor IRF5305PBF, -55V, 31A, TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V. Maximaler Drainstrom: 31A. Gehäuse: TO-220AB. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Kanaltyp: P. Leistung: 110W...

1.66fr

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IRF5305SPBF

P-Kanal-Transistor IRF5305SPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec...

1.98fr

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IRF5305STRLPBF

P-Kanal-Transistor IRF5305STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[n...

2.57fr

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IRF6215SPBF

P-Kanal-Transistor IRF6215SPBF, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Sp...

1.47fr

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IRF7104

P-Kanal-Transistor IRF7104, SO, SO-8, -20V. Gehäuse: SO. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Ter...

0.66fr

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IRF7204

P-Kanal-Transistor IRF7204, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 25nC. Drain-Source-Spannung: -20V. Gate-Source-Spannung: 12V, ±12V. Leistung: 2.5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: j...

1.16fr

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IRF7204PBF

P-Kanal-Transistor IRF7204PBF, SO8, -20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 150 ns. Ciss-Gat...

0.99fr

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IRF7205PBF

P-Kanal-Transistor IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betri...

0.59fr

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IRF7233

P-Kanal-Transistor IRF7233, SO8, -12V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate-Ka...

0.49fr

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IRF7233PBF

P-Kanal-Transistor IRF7233PBF, SO8, -12V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 77 ns. Ciss-Gate...

0.99fr

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IRF7304

P-Kanal-Transistor IRF7304, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberfl..

0.78fr

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IRF7304PBF

P-Kanal-Transistor IRF7304PBF, SO8, -20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate...

0.62fr

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IRF7306TRPBF

P-Kanal-Transistor IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. : erweitert. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 2...

1.86fr

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IRF7314

P-Kanal-Transistor IRF7314, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 19nC. Drain-Source-Spannung: -20V. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Gate...

0.75fr

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IRF7314PBF

P-Kanal-Transistor IRF7314PBF, SO8, -20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 63 ns. Ciss-Gate...

0.99fr

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IRF7316

P-Kanal-Transistor IRF7316, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: IDM--30Ap. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes ...

0.78fr

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IRF7316PBF

P-Kanal-Transistor IRF7316PBF, SO8, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 51 ns. Ciss-Gate...

1.48fr

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IRF7328

P-Kanal-Transistor IRF7328, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 ...

1.14fr

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IRF7342

P-Kanal-Transistor IRF7342, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 26nC. Drain-Source-Spannung: -55V. Funktion: IDM--27Ap. Gate-Source-Spannung...

1.02fr

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IRF7342PBF

P-Kanal-Transistor IRF7342PBF, SO8, -55V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 64 ns. Ciss-Gate...

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