FET- und MOSFET-Transistoren

248 Produkte in der Kategorie FET- und MOSFET-Transistoren verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Onsemi, Infineon Technologies, Infineon, ROHM, Samsung, und 38 weiteren Herstellern

Vds maximale Spannung

20V (8)25V (2)30 v (29)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)500V (1)

Maximaler Strom (Id)

0.1A (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)2.3A (1)2.4A (1)2.7A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)10A (3)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)23A (2)24A (1)26A (1)27A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)58A (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)130mA (1)500mA (1)

Transistorgehäuse

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DFN8 (1)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)PCB-Löten (28)PCB-Lötung (SMD) (76)SO (35)SO8 (28)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (8)SOT223 (1)SSOT (2)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (7)TO-220 (23)TO-220AB (16)TO-220FP (8)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO92 (1)TO220, TO220AB (7)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252, DPAK (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (3)TSOP (4)

IRF9622

P-Kanal-Transistor IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Einschaltwiderstand Rds O...

0.97fr

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IRF9630

P-Kanal-Transistor IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Term...

1.15fr

Gleichwertigkeit vorhanden
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IRF9630PBF

P-Kanal-Transistor IRF9630PBF, -200V, 6.5A, TO220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V. Maximaler Drainstrom: 6.5A. Gehäuse: TO220AB. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Einschaltwiderstand Rds...

1.34fr

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Minimum: 4

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IRF9630PBF-VIS

P-Kanal-Transistor IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28...

1.64fr

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IRF9640

P-Kanal-Transistor IRF9640, TO-220, 11A, 500uA, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Aufladung: 44nC. ...

1.35fr

+2 schnell
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IRF9640PBF

P-Kanal-Transistor IRF9640PBF, TO220AB, -200V, 11A, -200V. Gehäuse: TO220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -200V. Maximaler Drainstrom: 11A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]...

3.02fr

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IRF9640S

P-Kanal-Transistor IRF9640S, D²-PAK, TO-263, -200V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec....

0.89fr

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IRF9953

P-Kanal-Transistor IRF9953, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 6.1nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: 20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strö...

3.34fr

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IRF9953PBF

P-Kanal-Transistor IRF9953PBF, SO8, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-Gate...

0.61fr

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IRF9Z24NPBF

P-Kanal-Transistor IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Term...

0.90fr

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IRF9Z34N

P-Kanal-Transistor IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Termina...

0.78fr

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IRF9Z34NPBF

P-Kanal-Transistor IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -55V. Maximaler Drainstrom: 17A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]...

1.29fr

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IRF9Z34NS

P-Kanal-Transistor IRF9Z34NS, D2PAK ( TO-263 ), 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spann...

1.15fr

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IRF9Z34NSPBF

P-Kanal-Transistor IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -55V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nse...

1.23fr

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IRFD9014

P-Kanal-Transistor IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. Anza...

0.78fr

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IRFD9014PBF

P-Kanal-Transistor IRFD9014PBF, -60V, 1.1A, DIP-4. Drain-Source-Spannung (Vds): -60V. Maximaler Drainstrom: 1.1A. Gehäuse: DIP-4. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Kanaltyp: P. Transistortyp: MO...

1.29fr

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IRFD9024

P-Kanal-Transistor IRFD9024, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 60V. Anza...

0.95fr

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IRFD9024PBF

P-Kanal-Transistor IRFD9024PBF, DIP4, -60V. Gehäuse: DIP4. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[...

1.31fr

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IRFD9110

P-Kanal-Transistor IRFD9110, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. An...

0.80fr

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IRFD9110PBF

P-Kanal-Transistor IRFD9110PBF, HEXDIP, -100V, 0.7A, -100V. Gehäuse: HEXDIP. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V. Maximaler Drainstrom: 0.7A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V...

0.74fr

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IRFD9120

P-Kanal-Transistor IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Gehäuse: DIP. ID (T=25°C): 0.1A. IDSS (max): 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Anza...

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IRFD9120PBF

P-Kanal-Transistor IRFD9120PBF, DIP4, -100V. Gehäuse: DIP4. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-G...

1.14fr

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IRFD9220

P-Kanal-Transistor IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Gehäuse: DIP. ID (T=25°C): 0.56A. IDSS (max): 0.56A. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 200V. ...

0.96fr

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IRFD9220PBF

P-Kanal-Transistor IRFD9220PBF, HD-1, -200V. Gehäuse: HD-1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -200V. Anzahl der Terminals: 4. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss-...

1.98fr

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