IGBT transistor STGW40NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2870pF. CE-Diode: ja. Funktion: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60KD. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektorstrom: 70A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 295pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.1V. Td(off): 164 ns. Td(on): 46 ns. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:40