MOSFET-Steuerung

993 Produkte in der Kategorie MOSFET-Steuerung verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel International Rectifier, Toshiba, Infineon, Microchip (atmel-wireless), Signetics, und 24 weiteren Herstellern

IR2109SPBF

IR2109SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baute...

3.96fr

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IR2110PBF

IR2110PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP14. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

5.45fr

+59 schnell
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IR2110SPBF

IR2110SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO16W. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baut...

9.91fr

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IR2111PBF

IR2111PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

3.47fr

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IR2112

IR2112. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 105ns, 145ns. Anzahl der Ausgänge: 2. Anzahl der Kanäle: 2. Anzahl der Terminals: 14. Ausgangsspannung: 620V. Ausgangsstrom (max): 0.2A...0.42A. Ausgangsstr...

2.69fr

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IR2112PBF

IR2112PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP14. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

8.92fr

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IR2112S

IR2112S. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-16. Gehäuse: SO. Hinweis: Io 0.2/0.42A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja...

3.31fr

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IR2112SPBF

IR2112SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO16W. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baut...

5.45fr

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IR2113

IR2113. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-14. Gehäuse: DIP. Hinweis: Io +-2A 2.5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja...

3.02fr

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IR2113PBF

IR2113PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 14. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP14. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

6.44fr

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IR2113S

IR2113S. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-16. Gehäuse: SO. Hinweis: Vout 10V...20V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)...

3.60fr

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IR2113SPBF

IR2113SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO16W. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baut...

5.45fr

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IR2117

IR2117. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: SINGLE CHANNEL DRIVER. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Hinweis: Io--200/420mA. Montage/Installation: L...

3.38fr

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IR2117PBF

IR2117PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

5.45fr

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IR2118PBF

IR2118PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

6.44fr

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IR2121

IR2121. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Hinweis: Io +-1A/2A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja...

3.97fr

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IR2121PBF

IR2121PBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 105ns. Anzahl der Ausgänge: 1. Anzahl der Kanäle: 1. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgangsspannung: 23V. Ausgangsstrom: 1.6A, -2...1A...

7.43fr

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IR2125

IR2125. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Gehäuse: DIP. Hinweis: Vout 12V...18V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja...

3.39fr

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IR2125PBF

IR2125PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

6.94fr

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IR2127S

IR2127S. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Hinweis: Io 200/420mA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)...

4.17fr

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IR2130

IR2130. Anzahl der Terminals: 28. Funktion: 20V 200mA Triple, 3 Phase Bridge Driver. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Gehäuse: DIP. Hinweis: Data t.2.5us. Montage/Installation: Leiterplattendurchs...

9.65fr

Gleichwertigkeit vorhanden
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IR2130JPBF

IR2130JPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 44. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: PLCC44. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bau...

19.83fr

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IR2130PBF

IR2130PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 28. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP28. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

17.35fr

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IR2132

IR2132. Anzahl der Terminals: 28. Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. Gehäuse: DIP. Hinweis: Data t.0.8us. Montage/Installation: Leiterplattendurch...

13.51fr

Gleichwertigkeit vorhanden
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