MOSFET-Steuerung

993 Produkte in der Kategorie MOSFET-Steuerung verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Stmicroelectronics, Maxim, Toshiba, Infineon Technologies, Maxim - Dallas, und 24 weiteren Herstellern

IR2132S

IR2132S. Anzahl der Terminals: 28. Funktion: 20V Supply Triple, 3 Phase Bridge Driver. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-28. Gehäuse: SO. Hinweis: Data t.0.8us. Montage/Installation: oberflächenmontier...

8.54fr

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IR2151PBF

IR2151PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

4.95fr

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IR2153DPBF

IR2153DPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmont...

4.21fr

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IR2153PBF

IR2153PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

3.96fr

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IR2153SPBF

IR2153SPBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 40ns. Anzahl der Ausgänge: 2. Anzahl der Kanäle: 2. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausgangsspannung: 625.3V. Betriebstemperatur: -40.....

2.62fr

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IR2155PBF

IR2155PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

4.95fr

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IR21593PBF

IR21593PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 16. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP16. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmont...

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IR2167

IR2167. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 20. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP20. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage....

2.97fr

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IR2181SPBF

IR2181SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baute...

7.43fr

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IR2183PBF

IR2183PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

7.93fr

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IR2183SPBF

IR2183SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baute...

8.42fr

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IR2184PBF

IR2184PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

4.95fr

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IR2184SPBF

IR2184SPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Baute...

3.96fr

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IR2233PBF

IR2233PBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 28. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: DIP28. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmonta...

28.25fr

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IRS2153DSPBF

IRS2153DSPBF. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: SO8. Komponentenfamilie: MOSFET/IGBT-Ansteuerschaltung. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bau...

4.40fr

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IRS2453DPBF

IRS2453DPBF. Abschaltverzögerung tf [μsec.]: 50ns. Anzahl der Kanäle: 4. Art der integrierten Schaltung: Treiber. Ausgangsstrom: -260...180mA. Betriebstemperatur: -25...125°C. Funktion: H Brücke....

11.99fr

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IRS2453DSPBF

IRS2453DSPBF...

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IX2127N

IX2127N. Anzahl der Kanäle: 1. Art der integrierten Schaltung: Treiber. Ausgangsstrom: -500...250mA. Betriebstemperatur: -40...125°C. Gehäuse: SO8. Montage/Installation: SMD. Spannungsklasse: 600V....

4.29fr

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IXDD604SIA

IXDD604SIA. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Funktion: „Effiziente Leistungs-MOSFET- und IGBT-Schaltung“. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Hinweis: tr 9...

3.18fr

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L293D-L293DNE

L293D-L293DNE. Information: n/a. Montageart: THT. Serie: n/a...

9.79fr

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L297

L297. Anzahl der Terminals: 20. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-20. Gehäuse: DIP. Information: n/a. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. RoHS: ja. Serie: n/a...

5.50fr

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L4981A

L4981A. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 20. Anzahl der Terminals: 20. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-20. Gehäuse: DIP. Hinweis: Leistungsfaktorkorrektur (PF...

5.19fr

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L6384ED

L6384ED. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 8:1. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -45...+125°C. Funktion: „Dualer Hochspannungs-Halbbrückentreiber“. Gehäuse (JEDEC-Standa...

1.86fr

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L6386ED

L6386ED. Anzahl der Kanäle: 2. Anzahl der Kreise: 1. Anzahl der Terminals: 14. Anzahl der Terminals: 14. Art der integrierten Schaltung: Treiber. Ausgangsspannung: 580V. Ausgangsstrom: 400mA. Betrieb...

2.30fr

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