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NPN-Transistor MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V
Menge
Stückpreis
1-4
3.85fr
5-24
3.40fr
25-49
3.07fr
50+
2.78fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 17 |
NPN-Transistor MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 18A. Kosten): 4pF. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05
MD2001FX
26 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
ISOWATT218FX
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-218-FX
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
kHz
Funktion
FAST-SWITCH
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
18A
Kosten)
4pF
Maximaler hFE-Gewinn
7
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4.5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
58W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.8V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
2.6us
Tf(min)
0.2us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics