FET- und MOSFET-Transistoren

248 Produkte in der Kategorie FET- und MOSFET-Transistoren verfügbar, alle von Originalherstellern, zum Beispiel Vishay, Infineon Technologies, Alpha And Omega, Infineon (irf), Samsung, und 42 weiteren Herstellern

Vds maximale Spannung

-12V (6)-20V (13)-25V (1)-30V (23)-40V (1)-45V (2)-50V (4)-55V (3)-60V (1)-100V (8)-160V (1)-200V (4)-240V (1)-250V (1)20V (8)25V (2)30 v (29)30V (2)35V (2)40V (6)45V (1)50V (2)55V (11)60V (22)100V (16)150V (2)200V (19)250V (5)600V (1)630V (1)

Maximaler Strom (Id)

0.1A (1)0.1uA (1)0.7A (1)0.12A (1)0.23A (1)0.46A (1)0.56A (1)1.1A (2)1.5A (2)1.6A (1)1.8A (2)1A (1)1uA (12)2.3A (1)2.4A (1)2.45A (1)3.4A (1)3.5A (2)3.6A (1)3.7A (1)3A (3)4.1A (1)4.3A (3)4.4A (1)4.5A (1)4.6A (1)4.7A (1)4A (3)5.1A (1)5.3A (2)5.6A (1)5A (2)5mA (1)5nA (1)5uA (9)6.5A (1)6.6A (1)6.8A (2)6A (1)6mA (1)7.1A (1)7.3A (1)7A (1)8.7A (2)8.8A (7)8A (6)9.2A (1)9.4A (1)9A (1)9mA (1)10A (3)10mA (4)10nA (1)10uA (1)11.4A (1)11A (5)12.5A (1)12A (7)13A (2)14A (1)15A (2)15mA (1)16A (1)17A (1)18.7A (1)18A (2)19A (3)20A (1)20mA (1)21A (1)23A (2)24A (1)25mA (1)25uA (1)26A (1)27A (1)30A (1)31A (2)36A (1)38A (1)40A (2)46.4k Ohms (1)50uA (1)58A (1)60mA (1)70A (1)74A (1)80A (1)85A (1)90A (1)100nA (1)100uA (6)130mA (1)150uA (1)200A (1)200uA (1)250mA (1)250uA (21)500mA (1)500nA (1)500uA (17)

Transistorgehäuse

D-PAK (10)D-PAK ( TO-252 ) (19)D-PAK ( TO-252AA ) (1)D-PAK TO-252AA (2)D2PAK (2)D2PAK ( TO-263 ) (5)DH-1 house, DIP-4 (5)DIP (5)DIP-4 (1)DIP4 (5)D²-PAK (9)HD-1 (2)HEXDIP (1)I-PAK (1)ISOPLUS247 (1)ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)ITO-220AB (1)MS-012 (5)PCB-Löten (27)PCB-Lötung (SMD) (74)PG-TO220-3 (1)SO (35)SO-8 (34)SO8 (27)SOP-8 (1)SOT-23 (25)SOT-23 ( TO-236 ) (12)SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ) (2)SOT-23 ( TO236 ) (7)SOT-23/6 (2)SOT-223 (8)SOT-223 ( TO-226 ) (2)SOT23 (9)SOT223 (1)SSOT (2)SSOT-3 ( SuperSOT-3 ) (1)SUPERSOT-6 (3)TO-3 (1)TO-3 ( TO-204 ) (2)TO-3 ( TO-204AA ) (1)TO-3P (1)TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (1)TO-18 (1)TO-18 ( TO-206 ) (1)TO-92 (6)TO-220 (22)TO-220AB (17)TO-220AB <.45/32nsec (1)TO-220F (4)TO-220FP (8)TO-236AB (4)TO-247 (5)TO-247AC (3)TO-251 ( I-Pak ) (5)TO-251AA ( I-PAK ) (3)TO-252 (10)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) (1)TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) (13)TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (4)TO-263 (9)TO-264 (2)TO-264 ( 2-21F1C ) (1)TO-264 ( TOP-3L ) (3)TO220, TO220AB (6)TO220AB (7)TO247 (1)TO247, TO247AC (1)TO251AA, IPAK (1)TO252 (1)TO252AA (1)TO252AA, DPAK (2)TSMT6 (1)TSOP (4)TSOP-6 (1)

SI2315BDS-T1-E3

P-Kanal-Transistor SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. ...

0.62fr

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SI2319CDS-T1-GE3

P-Kanal-Transistor SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -40V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns....

0.65fr

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SI2323DS-T1-E3

P-Kanal-Transistor SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 71 ns. C...

1.98fr

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SI2333CDS-T1-GE3

P-Kanal-Transistor SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns....

0.99fr

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SI2333DDS-T1-GE3

P-Kanal-Transistor SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns....

1.23fr

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SI3441BD

P-Kanal-Transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. IDSS (max): 5nA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 6. B...

0.27fr

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SI4401BDY

P-Kanal-Transistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie...

1.57fr

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SI4401DY

P-Kanal-Transistor SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrieb...

2.67fr

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SI4425BDY

P-Kanal-Transistor SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betrie...

1.42fr

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SI4431BDY-T1-E3

P-Kanal-Transistor SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]...

1.46fr

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SI4431CDY-T1-GE3

P-Kanal-Transistor SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec....

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SI4435BDY

P-Kanal-Transistor SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebste...

0.57fr

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SI4435DDY

P-Kanal-Transistor SI4435DDY, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 50nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. St...

1.27fr

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SI4435DY

P-Kanal-Transistor SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 8.8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Einsc...

1.01fr

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SI4925BDY

P-Kanal-Transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Drai...

1.38fr

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SI4925DDY

P-Kanal-Transistor SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 7.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Eins...

1.15fr

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SI4948BEY

P-Kanal-Transistor SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie...

1.09fr

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SI4948BEY-T1-GE3

P-Kanal-Transistor SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]:...

1.98fr

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SI9407BDY

P-Kanal-Transistor SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie...

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SI9435BDY

P-Kanal-Transistor SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Eins...

1.27fr

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SI9953DY

P-Kanal-Transistor SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns...

0.41fr

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SPD08P06P

P-Kanal-Transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO...

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SPP08P06P

P-Kanal-Transistor SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Spannung Vds(max): 60V. Betriebstempera...

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SPP18P06P

P-Kanal-Transistor SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminal...

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