SI2315BDS-T1-E3 P-Kanal-Transistor SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns. ... 0.61fr Menge auf Lager: 12665 Menge für SI2315BDS-T1-E3 In den Warenkorb legen
SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal-Transistor SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -40V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns.... 0.65fr Menge auf Lager: 2000 Menge für SI2319CDS-T1-GE3 In den Warenkorb legen
SI2323DS-T1-E3 P-Kanal-Transistor SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 71 ns. C... 1.96fr Menge auf Lager: 3353 Menge für SI2323DS-T1-E3 In den Warenkorb legen
SI2333CDS-T1-GE3 P-Kanal-Transistor SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 70 ns.... 0.98fr Menge auf Lager: 2126 Menge für SI2333CDS-T1-GE3 In den Warenkorb legen
SI2333DDS-T1-GE3 P-Kanal-Transistor SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -12V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns.... 1.22fr Menge auf Lager: 8703 Menge für SI2333DDS-T1-GE3 In den Warenkorb legen
SI3441BD P-Kanal-Transistor SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. IDSS (max): 5nA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 6. B... 0.26fr Menge auf Lager: 2713 Menge für SI3441BD In den Warenkorb legen
SI4401BDY P-Kanal-Transistor SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie... 1.55fr Menge auf Lager: 82 Menge für SI4401BDY In den Warenkorb legen
SI4401DY P-Kanal-Transistor SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrieb... 2.64fr Gleichwertigkeit vorhanden Menge auf Lager: 4 Menge für SI4401DY In den Warenkorb legen
SI4425BDY P-Kanal-Transistor SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betrie... 1.41fr Menge auf Lager: 36 Menge für SI4425BDY In den Warenkorb legen
SI4431BDY-T1-E3 P-Kanal-Transistor SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]... 1.44fr Menge auf Lager: 18549 Menge für SI4431BDY-T1-E3 In den Warenkorb legen
SI4431CDY-T1-GE3 P-Kanal-Transistor SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.... 0.85fr Menge auf Lager: 2286 Menge für SI4431CDY-T1-GE3 In den Warenkorb legen
SI4435BDY P-Kanal-Transistor SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 5uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebste... 0.57fr Menge auf Lager: 2093 Menge für SI4435BDY In den Warenkorb legen
SI4435DDY P-Kanal-Transistor SI4435DDY, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 50nC. Drain-Source-Spannung: -30V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Leistung: 5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. St... 1.26fr Menge auf Lager: 15 Menge für SI4435DDY In den Warenkorb legen
SI4435DY P-Kanal-Transistor SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 8.8A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Einsc... 1.00fr Menge auf Lager: 16 Menge für SI4435DY In den Warenkorb legen
SI4925BDY P-Kanal-Transistor SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. IDSS (max): 7.1A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Drai... 1.36fr Menge auf Lager: 2254 Menge für SI4925BDY In den Warenkorb legen
SI4925DDY P-Kanal-Transistor SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 7.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Eins... 1.14fr Menge auf Lager: 49 Menge für SI4925DDY In den Warenkorb legen
SI4948BEY P-Kanal-Transistor SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie... 1.08fr Menge auf Lager: 264 Menge für SI4948BEY In den Warenkorb legen
SI4948BEY-T1-GE3 P-Kanal-Transistor SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]:... 1.96fr Menge auf Lager: 238 Menge für SI4948BEY-T1-GE3 In den Warenkorb legen
SI9407BDY P-Kanal-Transistor SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. IDSS (max): 10nA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 8:1. Betrie... 0.92fr Menge auf Lager: 45 Menge für SI9407BDY In den Warenkorb legen
SI9435BDY P-Kanal-Transistor SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. IDSS (max): 5.3A. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Eins... 1.26fr Gleichwertigkeit vorhanden Menge auf Lager: 26 Menge für SI9435BDY In den Warenkorb legen
SI9953DY P-Kanal-Transistor SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Gehäuse: SO8. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -20V. Anzahl der Terminals: 8:1. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns... 0.41fr Menge auf Lager: 34 Menge für SI9953DY In den Warenkorb legen
SPD08P06P P-Kanal-Transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO... 1.07fr Menge auf Lager: 92 Menge für SPD08P06P In den Warenkorb legen
SPP08P06P P-Kanal-Transistor SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO220-3. Spannung Vds(max): 60V. Betriebstempera... 2.04fr Veraltetes Produkt Ausverkauft
SPP18P06P P-Kanal-Transistor SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminal... 2.20fr Menge auf Lager: 12 Menge für SPP18P06P In den Warenkorb legen
